4H-SiC NMOS电子、质子辐照数值模拟

• 作者: 胡志良 贺朝会
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC 电子辐照 质子辐照 数值模拟
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 1387-1390
• 分类号: TN364.1
• 字数: 1737字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20112305.1387

摘要

分析了高能电子、质子对 4H-SiC 的损伤机理,建立了 4H-SiC NMOS 器件物理模型.电子、质子辐照效应模型.应用ISE-TCAD软件进行数值模拟计算,得出在能量为2.5 MeV、注量为5×1013cm-2的电子辐照及能量为6.5 MeV、注量为2×1014cm-2的质子辐照下,4H-SiC NMOS转移特性曲线和亚阈值漏电流曲线变化的初步规律.数值模拟结果与相同条件下Si NMOS实验结果吻合较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贺朝会	西安交通大学能源与动力工程学院	35	120	5.0	10.0
2	胡志良	西安交通大学能源与动力工程学院	3	8	2.0	2.0