一种基于数值模型的4H-SiC MESFET大信号建模方法

• 作者: 张义门 张玉明 曹全君
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC MESFET 大信号模型 射频
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 所属期刊栏目: 技术论文
• 页码范围: 14-17
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.3
• 字数: 2276字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2005.08.004

摘要

提出了一种基于数值模型的4H-SiC MESFET大信号建模方法.该方法基于4H-SiC MESFET的物理参数和结构参数,采用MEDICI的小信号正弦稳态分析法和高频小信号等效电路,模拟得到电流和电容的非线性特性,通过大信号等效电路,分析了建立4H-SiC MESFET大信号模型的途径.模拟与实验测试值的比较表明这种方法是可行的,可用于预先评估器件大信号工作时的非线性特性,指导4H-SiC MESFET的器件设计.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张玉明		9	23	3.0	4.0
2	张义门		10	25	3.0	4.0
3	曹全君		1	2	1.0	1.0