SiC MESFET的大信号电容解析模型

• 作者: 于春利 张义门 张玉明 杨林安
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 射频 金属半导体场效应晶体管 电容模型
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 229-231
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.0
• 字数: 3966字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2002.02.020

摘要

考虑4H-SiC常温下不完全离化和高饱和电子漂移速度的特点,采用载流子速度饱和理论和电荷控制理论, 结合双曲正切函数的描述方法,导出了适用于4H-SiC MESFET在射频功率应用时的大信号电容解析模型,其模拟结果与实验值有很好的一致性.该模型具有物理概念清晰且算法简单的优点, 非常适合于微波器件结构及电路的设计.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子研究所	129	835	15.0	21.0
2	杨林安	西安电子科技大学微电子研究所	17	95	6.0	9.0
3	于春利	西安电子科技大学微电子研究所	8	63	4.0	7.0
4	张玉明	西安电子科技大学微电子研究所	126	777	15.0	20.0