一种提取 Statz MESFET 非线性电容模型参数的方法

• 作者: 刘佑宝 顾聪
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 非线性模型 非线性电容模型
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 微电子技术
• 页码范围: 45-47
• 页数: 3页
• 分类号: TP3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2000.05.011

摘要

文章提出一种提取StatzGaAsMESFET非线性电容模型参数的简单方法.它基于逐点拟合和综合拟合法,并以小信号模型数据分布在电容电压特性曲线的三个区为判据,判定提取的电容模型参数的正确性.计算表明,对偏置点少的电容Cgs和Cgd数据情况,提取Statz非线性电容模型参数较适用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘佑宝		56	248	9.0	13.0
2	顾聪		8	27	3.0	5.0