SiC MESFET非线性模型及其嵌入研究

• 作者: 吴韵秋 国云川 延波 徐跃杭 徐锐敏
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金属半导体场效应晶体管 非线性模型 碳化硅 符号定义器件
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 电子信息材料与器件
• 页码范围: 443-446,453
• 分类号: TN304.2
• 字数: 1576字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.2010.03.026

摘要

基于TOM直流I-V模型和Angelov非线性电容模型,该文建立了适合SiC MESFET的非线性模型,并利用符号定义器件(SDD)实现了在安捷伦ADS软件中嵌入,最终建立了SiC MESFET工艺的模型库.该非线性模型考虑了击穿特性、色散效应和自热效应等,可进行直流、散射S参数和谐波平衡等ADS软件中的仿真器.该模型在国内SiC MESFET工艺线上的验证结果表明模型具有较好的精度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴韵秋	电子科技大学电子工程学院	8	30	4.0	5.0
2	徐跃杭	电子科技大学电子工程学院	10	41	4.0	5.0
3	国云川	电子科技大学电子工程学院	5	20	3.0	4.0
4	徐锐敏	电子科技大学电子工程学院	30	327	10.0	17.0
5	延波	电子科技大学电子工程学院	16	164	8.0	12.0