高温SiC MESFET特性模拟研究

• 作者: 何光 吕红亮 张义门 张玉明
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 MESFET 交流小信号特性 二维模拟
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 页码范围: 776-780
• 页数: 5页
• 分类号: TN303
• 字数: 3554字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2001.06.020

摘要

在建立SiC材料和器件的有关模型基础上,运用二维器件模拟器MEDICI在200～700 K温度范围内,对4H-SiC MESFET的直流和交流小信号特性进行了模拟与分析.将模拟所得到的高温特性典型参数与实验值进行比较分析,得到较满意的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子研究所	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子研究所	126	777	15.0	20.0
3	吕红亮	西安电子科技大学微电子研究所	18	88	5.0	9.0
4	何光	西安电子科技大学微电子研究所	1	0	0.0	0.0