SiCOI MESFET的特性分析

• 作者: 张智 王旸 雷天民
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: SiCOI MESFET 结构参数
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 所属期刊栏目: 光电·材料
• 页码范围: 19-21
• 分类号: TN304.2
• 字数: 1229字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2010.06.006

摘要

提出了一种新的器件结构-SiCOI结构,即硅衬底上外延SiC制造MESFET器件,并建立了SiCOI MESFET器件结构与模型.使用ISE-TCAD二维器件仿真软件,对SiCOI MESFET的电学特性进行模拟分析.结果表明,通过调整器件结构参数,例如门极栅长、有源层掺杂浓度、有源区厚度等,对器件转移特性、输出特性有较大影响.同时,还对SiCOI MESFET器件的击穿特性进行了模拟.这些电学特性数据为进一步设计及优化SiCOI MESFET器件提供理论基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	雷天民	西安电子科技大学技术物理学院	12	71	5.0	8.0
2	王旸	西安电子科技大学技术物理学院	2	9	1.0	2.0
3	张智	西安电子科技大学技术物理学院	1	1	1.0	1.0