GaAs MESFET平面型变容管高频特性分析

• 作者: 夏冠群 孙晓玮 林金庭 程知群 罗晋生
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs MMIC MESFET平面型变容管 微波S参数
• 年，卷（期）: 1999,（8）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 128-129
• 页数: 2页
• 分类号: TN91
• 字数: 1940字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.1999.08.038

摘要

本文分析了用于GaAs MMIC调频器件MESFET平面型变容管的微波特性,讨论了器件几何结构与直流参数、S参数之间的关系.重点研究了器件串联电阻对微波特性的影响,给出了变容管变电容比与器件几何尺寸.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林金庭		30	238	10.0	14.0
2	罗晋生	西安交通大学微电子工程系	28	194	7.0	13.0
3	孙晓玮	中国科学院上海冶金研究所	97	828	16.0	23.0
4	夏冠群	中国科学院上海冶金研究所	61	307	9.0	16.0
5	程知群	中国科学院上海冶金研究所	16	111	6.0	10.0