GaAs MESFET肖特基结参数表征及其应用

• 作者: 费庆宇 黄云
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 金属半导体场效应晶体管 参数提取 寄生电阻
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与评价
• 页码范围: 14-19
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2001.03.003

摘要

运用双指数函数模型方法分析了影响GaAs MESFET肖特基势垒结特性的各种因素,编制了结参数提取和1-V曲线拟合软件,实现了通过栅源正向I-V实验数据提取反映肖特基势垒结特性的6个结参数,其结果与实验数据吻合得很好.并对TIAl栅和TiPtAu栅GaAsMESFET进行了高温储存试验前后的结参数对比分析和深能级瞬态谱(DLTS)验证分析,证明这种结参数表征方法是进行器件特性、参数的稳定性与退化和肖特基势垒结质量研究的一种新的实用可行的分析手段.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄云		21	234	10.0	14.0
2	费庆宇		5	31	2.0	5.0