GaAs MESFET的热电子应力退化

• 作者: 朱炜容 钮利荣 黄云 黄美浅
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 砷化镓 金属-半导体场效应晶体管 热电子效应 界面态 退化
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 可靠性物理与失效分析技术
• 页码范围: 32-35
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2005.06.009

摘要

进行GaAs MESFET的热电子应力试验,在24V≤VDS≤28V,-5.5V≤VCS≤-4 V的应力条件下,热电子效应将导致GaAs MESFET直流参数的严重退化.退化模式主要表现为饱和漏电流IDSS减小,跨导gm减小,夹断电压V.增大,击穿电压增大.从微波性能方面来看,热电子效应器件的输出功率增益大幅度下降.退化机理主要是栅漏区表面及栅边缘俘获负电荷.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄云		21	234	10.0	14.0
2	黄美浅	华南理工大学物理科学与技术学院	22	79	4.0	8.0
3	钮利荣		9	17	3.0	3.0
4	朱炜容	华南理工大学物理科学与技术学院	1	4	1.0	1.0