GaAs PHEMT器件的失效模式及机理

• 作者: 许燕 邓文基 黄云
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 砷化镓晶体管 失效模式 失效机理
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 可靠性物理与失效分析技术
• 页码范围: 19-22
• 页数: 4页
• 分类号: TN325
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2007.06.006

摘要

归纳了GaAs PHEMT器件的几种常见失效模式,并从6个方面分析了PHEMT器件的失效机理:热电子应力退化、氢效应、2DEG结构退化、欧姆接触退化、肖特基接触退化和电迁移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄云		21	234	10.0	14.0
2	邓文基	华南理工大学物理科学与技术学院	32	145	7.0	10.0
3	许燕	华南理工大学物理科学与技术学院	2	12	2.0	2.0