PHEMT器件界面态分析方法综述

• 作者: 张鹏 李斌 黄云
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 高电子迁移率场效应晶体管 砷化镓器件 界面态
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 可靠性物理与失效分析技术
• 页码范围: 20-23
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2008.03.006

摘要

介绍了高电子迁移率场效应晶体管(PHEMT)器件的结构,并主要从直流特性、击穿电压和栅延时等方面研究了界面态对PHEMT器件的影响,总结了界面态分析方法.包括:通过沟道峰值电场和碰撞电离率来研究界面态的密度;二维量子模型模拟法的应用;根据跨导随频率变化的规律来测量界面态的密度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李斌	华南理工大学物理科学与技术学院	128	542	12.0	17.0
2	张鹏	华南理工大学物理科学与技术学院	87	742	15.0	22.0
4	黄云		21	234	10.0	14.0