DCIV 技术提取 SOI器件前栅界面与背界面态密度

• 作者: 刘魁勇 曾传滨 罗家俊 赵洪利 韩郑生 高林春
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: DCIV方法 SOI NMOS器件 前栅界面与背界面 界面态面密度 等效能级
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 页码范围: 82-84,89
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文

摘要

直流电流电压（DCIV ）方法不仅可以提取SOI器件前栅沟道界面态密度，也可应用于背界面态密度的提取．给出了具体的测试步骤与方法，以0．13μm SOI工艺制造的NMOS器件为测试对象，对前栅界面与背界面分别进行了测试．基于DCIV理论，将实验得到的界面复合电流值与理论公式做最小二乘拟合，不仅获得了各界面态密度，也得到界面态密度所在的等效能级．结果表明，采用了智能剥离技术制备的SOI NMOS器件背界面态密度量级为1010 cm －2，前栅界面的态密度小于背界面的，量级为109 cm －2，并给出了两界面态面密度所在的等效能级．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
2	曾传滨	中国科学院微电子研究所	12	34	4.0	5.0
3	刘魁勇		9	9	2.0	2.0
4	罗家俊	中国科学院微电子研究所	28	56	5.0	5.0
5	高林春	中国科学院微电子研究所	4	5	2.0	2.0
6	赵洪利	中国科学院微电子研究所	3	8	2.0	2.0