DCIV技术提取辐照前后PDSOI器件背栅界面态密度

• 作者: 曾传滨 李晓静 王芳芳 罗家俊 韩郑生 高林春
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 直流电流电压方法 PDSOI器件 总剂量效应 背沟道 界面态 钴60伽马射线
• 年，卷（期）: 2018,（7）
• 页码范围: 92-96
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文

摘要

直流电流电压(DCIV)技术受应用于智能剥离技术制造的PDSOI中硅/二氧化硅界面质量的研究.本文通过将样品进行钴60伽马射线辐照,用以监测PDSOI器件背沟道界面在总剂量辐照前后的变化情况.本文给出了完整的测试原理、实验流程和结果分析,不仅提取了辐照前后PDSOI器件的背界面陷阱密度以及它所在的等效能级,而且得到了界面陷阱能级密度在硅禁带中随能级变化的U型分布图(以禁带中央附近为主),为后续PDSOI器件的抗辐照加固提供了参考.