辐照下背栅偏置对部分耗尽型绝缘层上硅器件背栅效应影响及机理分析

• 作者: 于宗光 周昕杰 周毅 李蕾蕾 罗静
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘层上硅器件 总剂量效应 背栅效应 背栅偏置
• 年，卷（期）: 2012,（20）
• 页码范围: 323-329
• 分类号: TN386
• 语种: 中文

摘要

基于部分耗尽型绝缘层上硅（S01）器件的能带结构，从电荷堆积机理的电场因素入手，为改善辐照条件下背栅Si／SiO2界面的电场分布，将半导体金属氧化物（MOS）器件和平板电容模型相结合，建立了背栅偏置模型．为验证模型，利用合金烧结法将背栅引出加负偏置，对NMOS和PMOS进行辐照试验，得出：NMOS背栅接负压，可消除背栅效应对器件性能的影响，改善器件的前栅I-V特性；而PMOS背栅接负压，则会使器件的前栅I-V性能恶化．因此，在利用背栅偏置技术改善SOI／NMOS器件性能的同时，也需要考虑背栅偏置对PMOS的影响，折中选取偏置电压．该研究结果为辐照条件下部分耗尽型SOI／MOS器件背栅效应的改善提供了设计加固方案，也为宇航级集成电路设计和制造提供了理论支持．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于宗光		140	722	12.0	22.0
2	罗静		12	35	3.0	5.0
3	周毅		8	25	3.0	5.0
4	周昕杰		1	3	1.0	1.0
5	李蕾蕾		8	20	3.0	4.0