RF PDSOI LDMOS器件的电离总剂量辐照效应

• 作者: 刘刚 刘梦新 宋李梅 杜寰 毕津顺 范雪梅 韩郑生
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 部分耗尽SOI LDMOS 射频 电离总剂量辐照
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2158-2163
• 页数: 6页
• 分类号: TN385
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.11.016

摘要

研制了一种用于射频领域的叉指栅PDSOI LDMOS晶体管,并分析了总剂量辐照对其静态和小信号射频特性的影响.其静态工作模式下的辐照响应由前/背栅阈值、泄漏电流、跨导和输出特性表征,而其交流工作模式下的辐照响应由截止频率和最高振荡频率表征.实验表明,在室温环境下经过总剂量为1Mrad(Si)的γ射线辐照,不同尺寸和结构的射频SOI LDMOS晶体管的各项指标均表现出明显退化,并且仅当器件工作在静态模式时LBBC LDMOS才表现出优于BTS LDMOS的抗辐照性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
2	宋李梅	中国科学院微电子研究所	18	56	5.0	5.0
3	杜寰	中国科学院微电子研究所	41	108	5.0	6.0
4	刘刚	中国科学院微电子研究所	207	2369	24.0	40.0
5	毕津顺	中国科学院微电子研究所	37	78	5.0	6.0
6	刘梦新	中国科学院微电子研究所	16	70	5.0	7.0
7	范雪梅	中国科学院微电子研究所	2	6	1.0	2.0