电离总剂量辐照试验流程阐述

• 作者: 王文双 费武雄
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 电离总剂量 金属-氧化物-半导体器件 辐照流程 偏置条件
• 年，卷（期）: 2012,（z1）
• 所属期刊栏目: 可靠性与环境试验技术及评价
• 页码范围: 163-166
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2012.z1.041

摘要

空间辐射环境是影响航天电子设备长期稳定运行的重要因素,是当前航天电子技术研究的重点.针对目前国内主要的电离总剂量辐照试验标准,阐述了MOS的辐照试验流程,并对其中包含的机理进行了详细的分析;同时,对试验方法中有关偏置条件、辐照后测试时间的规定等内容进行了详细的分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	费武雄		4	4	2.0	2.0
2	王文双		3	5	2.0	2.0