硅双极器件及电路电离总剂量辐照损伤研究

• 作者: 崔占东 杨筱莉 王鹏 邹学锋
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 双极器件 总剂量辐照 低剂量率 低剂量率辐照损伤增强效应 增强因子
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 58-63
• 页数: 6页
• 分类号: TN47
• 字数: 3175字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201628.044002

摘要

针对硅双极器件及其构成的双极集成电路有着如低剂量率辐照损伤增强效应等不同于其他类型电路的特殊的辐照响应问题,分析了空间辐射电离总剂量环境及铝屏蔽作用,双极晶体管及电路总剂量辐照损伤机理,低剂量率辐照损伤增强效应、规律和电参数变化.通过选取几种典型的双极晶体管和电路进行地面辐照模拟试验和测试,证明了双极器件及电路的关键参数受辐照影响较大,特别是对低剂量率辐照损伤增强效应敏感,低剂量率辐照损伤增强因子基本都大于 1.5,不同双极器件和电路的低剂量率辐照损伤增强效应有着明显的不同,与器件类型、加工工艺(如氧化层厚度)等密切相关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王鹏	中国电子科技集团公司第四十七研究所	63	96	4.0	6.0
5	崔占东	中国电子科技集团公司第十三研究所	10	29	3.0	5.0
6	邹学锋	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	73	2.0	5.0
7	杨筱莉	中国电子科技集团公司第四十七研究所	1	5	1.0	1.0