总剂量辐照与热载流子协同效应特性分析

• 作者: 付兴中 何玉娟 章晓文 郑婕
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 总剂量辐照 热载流子效应 协同效应
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 可靠性物理与失效分析技术
• 页码范围: 12-15
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2017.06.003

摘要

研究了总剂量辐照效应对0.35μm的NMOS器件热载流子测试的影响,结果发现:经过100 krad(Si)总剂量辐照的NMOS器件在热载流子测试时其阈值电压的变化量远远地大于未经辐照的器件的,其原因与总剂量辐照退火效应和辐射感生界面陷阱俘获热电子有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	章晓文		13	39	4.0	5.0
2	付兴中	中国电子科技集团公司第五十四研究所	7	10	2.0	3.0
3	何玉娟		5	17	2.0	4.0
4	郑婕		1	2	1.0	1.0