体硅nFinFET总剂量效应三维TCAD仿真研究

• 作者: 李博 李彬鸿 杨玲 罗家俊 郑中山 黄云波
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 鳍形场效应晶体管 总剂量效应(TID) 浅槽隔离(STI) TCAD
• 年，卷（期）: 2018,（8）
• 页码范围: 42-47
• 页数: 6页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文

摘要

本文利用Sentaurus TCAD仿真软件对体硅鳍形场效应晶体管(FinFET)的总剂量效应(TID)进行了详细的数值模拟研究.基于良好校准后的器件模型,仿真结果表明:高沟道阻挡层掺杂浓度,大鳍宽,锥形鳍截面形状的FinFET器件对总剂量效应有良好的抑制作用.进一步的Gamma总剂量辐射仿真展示了辐照过程中浅槽隔离(STI)氧化层中陷阱空穴的形成.最后,利用Sentaurus TCAD软件混合仿真模式对电路级别的总剂量响应进行了模拟分析,结果表明电路的性能和可靠性在总剂量辐照之后均受到了极大的影响.