EE80C196KC20单片机γ辐射总剂量效应

• 作者: 杨善潮 林东生 范如玉 金晓明 陈伟
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 电离辐射 微处理器 功耗电流 电平漂移
• 年，卷（期）: 2010,（z1）
• 页码范围: 528-532
• 分类号: TN431|TN792
• 语种: 中文

摘要

建立商用16位单片机EE80C196KC20辐射效应在线测试系统,利用60Co源在20rad(Si)/s的剂量率条件下研究了电离辐射的失效模式和敏感参数.实验获得了单片机的失效阈值,得到了功耗电流、I/O输出、PWM输出随总剂量的变化规律,从工艺和电路结构分析了敏感参数变化的物理机理,对抗辐射加固设计有重要意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈伟		95	286	8.0	11.0
2	林东生		33	148	8.0	10.0
3	范如玉	清华大学工程物理系	34	168	7.0	10.0
7	杨善潮		28	101	6.0	7.0
8	金晓明	清华大学工程物理系	11	16	2.0	2.0