CMOS电路总剂量效应最劣偏置甄别

• 作者: 丁李利 王忠明 范如玉 郭红霞 陈伟
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS电路 总剂量效应 最劣偏置 敏感因子
• 年，卷（期）: 2012,（11）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 2757-2762
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 4112字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20122411.2757

摘要

采用电路分析和解析建模方法研究了CMOS电路中甄别总剂量效应最劣辐照与测试偏置的问题.通过引入小规模模拟电路和数字电路的例子进行具体分析,获取了不同电路的最劣偏置情况.对于数字电路,引入了敏感因子的概念用于定量计算不同辐照与测试偏置组合下电路的总剂量效应敏感程度.利用实测数据或电路仿真结果对甄别结果进行了一一验证,得到相一致的结论,证明了该研究思路的正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈伟		95	286	8.0	11.0
2	郭红霞		81	385	10.0	13.0
3	范如玉	清华大学工程物理系	34	168	7.0	10.0
7	丁李利	清华大学工程物理系	2	6	2.0	2.0
11	王忠明	清华大学工程物理系	2	13	2.0	2.0