NAND 型 Flash 存储器总剂量效应实验研究

• 作者: 何宝平 刘敏波 姚志斌 王祖军 盛江坤 肖志刚 邱孟通 黄绍艳
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: NAND型Flash存储器 总剂量效应 辐照偏置 工艺尺寸
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 1502-1507
• 页数: 6页
• 分类号: TN47
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2014.48.08.1502

摘要

针对镁光公司的4种NAND型Flash存储器，开展了不同辐照偏置下的总剂量效应实验及不同工艺尺寸器件的静态加电辐照实验。实验结果表明，器件在静态加电和动态辐照偏置下的总剂量效应相似，而与不加电辐照偏置下的总剂量效应不同。不同工艺尺寸器件的敏感参数有相同的变化趋势，由于受其他因素的综合影响，各敏感参数并不随工艺尺寸单调变化。