电离总剂量效应对浮栅型Flash存储器擦写耐久与数据保持特性的影响研究

• 作者: 刘岐 沈鸣杰 董艺
• 来源期刊: 航天器环境工程
• 学科: 工学
• 关键词: 浮栅型Flash存储器 电离总剂量效应 擦写耐久 数据保持 可靠性 试验研究
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 地面试验
• 页码范围: 264-270
• 页数: 7页
• 分类号: TN406|V416.5
• 字数: 4529字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12126/see.2019.03.011

摘要

文章通过电离总剂量效应、擦写循环和数据保持试验及其叠加试验,研究了总剂量效应对浮栅型Flash存储器擦写耐久和数据保持特性的影响.对较高总剂量(150 krad(Si))和含动态偏置在内的多种偏置条件进行了评估.结果表明:总剂量效应对擦写特性的影响较小,甚至可以忽略;总剂量效应对数据保持的影响主要表现在辐射致电荷泄漏,若总剂量效应试验后刷新数据,则其影响几乎可以忽略.为了减小辐射致电荷泄漏对数据保持的影响,在系统级应用上建议增加数据刷新次数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董艺		3	3	1.0	1.0
2	沈鸣杰		3	2	1.0	1.0
3	刘岐		2	2	1.0	1.0