双层量子点阵列浮栅结构纳米存储器

• 作者: 周少华 施毅 曾云 杨红官
• 来源期刊: 湖南大学学报（自然科学版）
• 关键词: 锗/硅 量子点阵列 纳米存储器 C-V测量
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 机电工程
• 页码范围: 69-72
• 页数: 4页
• 分类号: TP343
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-2472.2005.06.016

摘要

设计了一种新型的存储器结构单元--锗/硅双层量子点阵列浮栅结构纳米存储器.对存储器样品的C-V测量结果显示了这种结构的P沟道器件有着更加优异的存储性能.数值模拟表明了该器件的编程速度在微秒量级,而保留时间长达10年(约108s).这种新型的存储器结构单元有效地解决了目前硅基纳米存储器存在的工作电压和长久存储之间的矛盾,为硅基纳米存储器的实用化拓宽了道路.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾云	湖南大学微电子研究所	102	899	13.0	27.0
5	周少华	湖南大学微电子研究所	22	121	7.0	10.0
9	杨红官	湖南大学微电子研究所	28	95	6.0	7.0
13	施毅	南京大学物理系	103	490	13.0	17.0