单电子存储器结构及参数优化研究

• 作者: 任国燕 李冰夕
• 来源期刊: 科技与创新
• 关键词: 单电子晶体管 单电子存储器 电子陷阱
• 年，卷（期）: 2010,（17）
• 页码范围: 179-181
• 分类号: TN403
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2095-6835.2010.17.074

摘要

由单电子晶体管(single-electron transistor,简称SET)构成的存储器具有体积小、容量大、功率消耗低等优点,可望成为继CMOS存储器之后纳米级的新型存储器.本文介绍了几种基于单电子晶体管的存储单元结构,并以单电子陷阱存储单元为例,提出了一个存储器参数优化选择的计算方法,能够改进器件的工作可靠性.利用SIMON仿真器还对这些单电子存储器进行了比较研究.