RS码和双总线结构的高性能闪存图像存储器

• 作者: 余辉龙 张健 李清 花涛 覃翠 赵静
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: RS码 双总线结构 纠错匹配 NAND闪存 数据交织
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 页码范围: 5-10
• 页数: 6页
• 分类号: TP333.5
• 语种: 中文

摘要

空间存储器存在高能粒子反转问题,提出了采用变长匹配的RS码纠错的大容量NAND型闪存图像存储器.为保证存储器实时纠错编译码时不影响持续读写速度,提出了主副总线的闪存和SRAM阵列备份的体系结构.在此基础上,针对图像数据源分辨率变化和NAND闪存是页存储体系的特点,提出了变长匹配的RS码字页编程方法,可纠错有限字节的随机错误,实现图像数据源、纠错码和闪存存储的匹配.针对突发长码错误,提出了固定周期的数据交织方法.固化参数后实验结果表明,在双总线系统架构下,能够保证系统存取速度,图像存储速率达到1.44 Gbps,读取速率达到1.2 Gbps,单页纠错能力突破30 byte,同误比特率下信噪比提高了2 dB以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李清	中北大学机械工程学院	18	15	2.0	3.0
2	张健	南京工程学院通信工程学院	36	102	6.0	8.0
3	花涛	南京工程学院通信工程学院	8	7	2.0	2.0
4	覃翠	南京工程学院通信工程学院	14	11	2.0	3.0
5	余辉龙	南京工程学院通信工程学院	13	9	2.0	2.0
6	赵静	南京工程学院通信工程学院	16	10	2.0	2.0