阻变型非易失性存储器单元电路结构设计与Spice仿真

• 作者: 代月花 李德君 柯导明 胡媛 陈军宁
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 非易失性存储器 电阻转变特性 存储单元结构 1T1R
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 1-3
• 页数: 3页
• 分类号: TN710
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2009.02.001

摘要

为进一步确定阻变型非易失性存储器的擦写速度、器件功耗和集成度等实用化的性能指标,设计RRAM存储器单元电路结构,并使用HSpice软件分别对RRAM存储器单元结构电路的延时和功耗性能进行仿真.同时,通过仿真对双极型和单极型两种电阻转变类型及器件工艺进行比较和分析,确定1T1R结构电路单元适用于双极型阻变型非易失性存储器件,并且电路仿真的结果为阻变型非易失性存储器的进一步实用化提供了参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柯导明	安徽大学电子科学与技术学院	83	423	10.0	17.0
2	陈军宁	安徽大学电子科学与技术学院	160	1135	16.0	26.0
3	代月花	安徽大学电子科学与技术学院	34	113	6.0	8.0
4	胡媛	安徽大学电子科学与技术学院	10	58	4.0	7.0
5	李德君	安徽大学电子科学与技术学院	1	2	1.0	1.0