忆阻器数字化仿真器的设计与实现

• 作者: 丘嵘 司德成 吴杰 王光义
• 来源期刊: 杭州电子科技大学学报（自然科学版）
• 关键词: 忆阻器 非易失性 数字电位器
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 页码范围: 1-6
• 页数: 6页
• 分类号: TN401
• 语种: 中文
• DOI: 10.13954/j.cnki.hdu.2018.05.001

摘要

忆阻器是一种新型记忆电阻元件,在非易失性存储器、逻辑计算电路、神经网络和非线性电路等领域中有巨大的应用潜能.目前,忆阻器尚未市场化,为了给忆阻器的研究提供一种替代仿真器,基于数字电位器,设计并实现了一种具有掉电记忆特性的忆阻器硬件仿真器电路.实验测试表明,该仿真器和忆阻器的滞回伏安特性一致,并具有真正的非易失特性,弥补了目前忆阻器仿真器的不足.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王光义	杭州电子科技大学电子信息学院	82	616	12.0	22.0
2	吴杰	杭州电子科技大学电子信息学院	9	45	4.0	6.0
3	丘嵘		17	13	2.0	2.0
4	司德成	杭州电子科技大学电子信息学院	3	2	1.0	1.0