原文服务方: 微电子学与计算机       
摘要:
分析了忆阻器与忆容器之间的关系,提出了基于电压控制型忆阻器的忆容器模型。用 Pspice软件对该模型进行了仿真实验,发现该模型中忆容器的忆容值与忆阻器的忆阻值成线性关系,忆容器的电压—电荷曲线呈现典型的非线性迟滞回线特性。在验证了所提出忆容器模型正确性的基础上,进一步分析了忆容器的电气特性。
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文献信息
篇名 一种基于压控型忆阻器的忆容器模型
来源期刊 微电子学与计算机 学科
关键词 忆容器 忆阻器 模型 Pspice
年,卷(期) 2015,(11) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 166-171
页数 6页 分类号 TM50
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 甘朝晖 武汉科技大学信息科学与工程学院 34 161 6.0 11.0
2 吴梦雯 武汉科技大学信息科学与工程学院 1 4 1.0 1.0
3 吴宇鑫 武汉科技大学信息科学与工程学院 3 5 1.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
忆容器
忆阻器
模型
Pspice
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学与计算机
月刊
1000-7180
61-1123/TN
大16开
1972-01-01
chi
出版文献量(篇)
9826
总下载数(次)
0
总被引数(次)
59060
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