基于电流控制传输器的通用忆阻器模拟电路

• 作者: 胡体玲
• 来源期刊: 杭州电子科技大学学报（自然科学版）
• 关键词: 电流控制传输器 浮地忆阻器 通用模型 伏安特性
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 应用研究
• 页码范围: 12-17
• 页数: 6页
• 分类号: TN702
• 语种: 中文
• DOI: 10.13954/j.cnki.hdu.2015.05.003

摘要

忆阻器是除电阻器、电容器和电感器之外的第四种基本无源二端非线性器件,具有记忆功能. 采用电流控制传输器、集成运放、模拟乘法器、电阻和电容等基本器件,导出了基于阻抗变换的浮地忆阻器模型电路. 采用忆阻器线性漂移模型,利用软件NI Multisim12.0,仿真分析了荷控浮地忆阻器及磁控浮地忆阻器电路的伏安特性. 结果表明,浮地忆阻器的伏安关系与TiO2 忆阻器模型的定义一致,正弦激励信号激励下端口特性展现出典型的非线性磁滞回线特性. 证明了基于电流控制传输器的忆阻器电路可用于实际的电路,具有通用性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡体玲	杭州电子科技大学电子信息学院	13	20	3.0	4.0