TiO2忆阻器的磁控模型分析及电路实现

• 作者: 刘威 王光义
• 来源期刊: 杭州电子科技大学学报（自然科学版）
• 关键词: 忆阻器 磁控忆阻器 等效电路模型
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 应用研究
• 页码范围: 5-8
• 页数: 4页
• 分类号: TN601
• 语种: 中文
• DOI: 10.13954/j.cnki.hdu.2015.02.002

摘要

为了建立忆阻器的电导模型，基于TiO2忆阻器的荷控数学模型分析了其无源和有源的磁控数学模型，并设计了实现其伏安特性的双口电路模型，对电路模型进行了理论分析。利用Multisim对磁控忆阻器的电路模型进行了仿真验证，不同参数条件下的仿真结果与磁控忆阻器模型的特性完全一致。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王光义	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	82	616	12.0	22.0
2	刘威	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	3	2	1.0	1.0