基于二维汉明码结构的闪存纠错存储系统

• 作者: 余辉龙 张健 李清 花涛 覃翠 赵静
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 二维汉明码 纠错编码 NAND闪存 纠错偶对
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 页码范围: 1-3
• 页数: 3页
• 分类号: TP333.5
• 语种: 中文

摘要

针对闪存存储单元会出现多位错误,提出了NAND型闪存存储器的二维汉明码算法,从行和列二维结构上对任意2J bit字长的存储数据,用统一的公式化算法进行汉明编码,通过计算纠错偶对能够纠错多位数据误码的情况,译码时先纠错,再校验,保证存储系统数据的完整性,解决了MLC结构闪存的纠错问题.在此基础上分析了不能纠错的图样模式.该算法核心结构上只有异或操作,易于实现,适用于NAND型闪存存储器.实验表明,闪存系统中有效数据二维结构为1 024×128时,采用二维汉明码结构,编码效率为11％,实际编码效率为12.6％.其编码速度和译码速度均达到了102 Gbps,适用于高速存储系统.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李清		18	15	2.0	3.0
2	张健		36	102	6.0	8.0
3	花涛		8	7	2.0	2.0
4	覃翠		14	11	2.0	3.0
5	余辉龙		13	9	2.0	2.0
6	赵静		16	10	2.0	2.0