硅纳米晶体浮栅存储器件特性研究

• 作者: 余吟丰 刘洋 史峥宇
• 来源期刊: 航空科学技术
• 学科: 航空航天
• 关键词: 离子注入 硅纳米晶体 耐擦写能力 数据保持能力
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 38-40
• 分类号: V2
• 字数: 1509字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5453.2010.05.012

摘要

通过硅(Si+)离子注入使硅纳米晶体存在于SiO2层中充当离散浮栅,制造出纳米晶体浮栅存储器件,测试器件的阈值电压变化(△Vth)、耐擦写能力和数据保持能力,得到该纳米晶体浮栅存储器件的存储特性.测试结果表明,该纳米晶体浮栅存储器件具有大的△Vth和较快的写/擦速度、非常好的耐擦写能力和很好的数据保持能力,具有应用于航空航天设备中的潜力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘洋	电子科技大学微电子与固体电子学院	46	174	7.0	11.0
2	史峥宇	电子科技大学微电子与固体电子学院	1	3	1.0	1.0
3	余吟丰	电子科技大学微电子与固体电子学院	1	3	1.0	1.0