浮栅技术及其应用

• 作者: 何怡刚 张家龙
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 浮栅技术 隧道效应 电子陷阱 浮栅MOS晶体管 神经MOS晶体管 阈值电压
• 年，卷（期）: 2004,（24）
• 所属期刊栏目: 元器件与应用
• 页码范围: 8-10
• 页数: 3页
• 分类号: TP302.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2004.24.004

摘要

介绍了浮栅技术的基本原理及应用情况.并对2种应用了浮栅技术的典型器件-浮栅MOS晶体管和神经MOS晶体管做了详细介绍,分析了他们的基本结构和工作原理,以及建立浮栅MOS晶体管的等效模型,并说明了他们的应用情况及存在的不足.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何怡刚	湖南大学电气与信息工程学院	426	5127	34.0	51.0
2	张家龙	湖南大学电气与信息工程学院	2	12	1.0	2.0