屏蔽空间电离总剂量的CMOS IC封装

• 作者: 张文娟 张金利 李军
• 来源期刊: 信息与电子工程
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS器件 IC封装 电离总剂量辐照 仿真
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 微光机电与物理电子技术
• 页码范围: 495-499,508
• 分类号: TN386|TL75+2.3
• 字数: 4159字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-2892.2012.04.023

摘要

分析CMOS IC封装材料自身辐射对器件的影响及封装对空间电离总剂量的屏蔽作用.采用仿真计算,给出不同封装材料与结构对空间电离总剂量的屏蔽效果,得到屏蔽性能最优的多层结构.试验结果表明:优化后的多层结构封装管壳对空间电离总剂量的屏蔽效果比常规封装管壳提高了一个数量级以上,经屏蔽加固后的常规电路可承受500 krad(Si)的电子总剂量辐照.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张金利		5	46	2.0	5.0
2	李军		8	32	2.0	5.0
3	张文娟		3	2	1.0	1.0