CMOS IC失效机理与老炼频率的关系探讨

• 作者: 李兴鸿 赵俊萍
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 集成电路 老炼 失效机理 频率
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 可靠性物理与失效分析技术
• 页码范围: 6-9
• 页数: 4页
• 分类号: TN432.06
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2016.05.002

摘要

从老炼试验的原理、CMOS IC的失效机理和功耗等几个方面对CMOS IC的失效机理与老炼频率的关系进行了探讨.通过分析发现,动态老炼的效果与频率的高低的关系不大.希望此结果对老炼方案的编制和老炼试验的实施起到一定的参考作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李兴鸿		12	9	2.0	2.0
2	赵俊萍		11	9	2.0	2.0