PDSOI 静态随机存储器的总剂量辐照加固

• 作者: 周小茵 李多力 海潮和 赵立新 郭天雷 韩郑生
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 总剂量辐照 静态随机存储器 工艺集成 加固
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 页码范围: 794-798
• 页数: 5页
• 分类号: TN47
• 字数: 3251字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.03.017

摘要

对PDSOI CMOS 器件及电路进行总剂量辐照的加固势必会引起其性能下降,这就需要在器件及电路加固和其性能之间进行折中.从工艺集成的角度,对PDSOI CMOS器件和电路的总剂量辐照敏感区域:正栅氧化层、场区氧化层及埋氧层提出了折中的方法.采用此种方法研制了抗总剂量辐照PDSOI SRAM ,进行总剂量为2×105 rad(Si)的辐照后SRAM的各项功能测试均通过,静态电流的变化满足设计要求,取数时间:辐照前为26.3 ns;辐照后仅为26.7 ns.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	海潮和	中国科学院微电子研究所	72	277	9.0	13.0
2	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
3	李多力	中国科学院微电子研究所	16	52	4.0	6.0
4	郭天雷	中国科学院微电子研究所	8	33	3.0	5.0
5	赵立新	中国科学院微电子研究所	38	346	12.0	17.0
6	周小茵	中国科学院微电子研究所	5	45	4.0	5.0