一种新型高抗辐照可配置SOI器件技术

• 作者: 叶甜春 李博 刘凡宇 李多力 李彬鸿 陈思远
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 可配置SOI 抗辐照 总剂量效应 单粒子效应
• 年，卷（期）: 2024,（12）
• 所属期刊栏目: 器件辐射效应研究及加固技术新进展
• 页码范围: 7-19
• 页数: 13页
• 语种: 中文

摘要

本文介绍了一种新型的高抗辐照可配置SOI(configurable-SOI, CSOI)器件技术。CSOI器件在制备完成后，可以通过改变配置层电压，实现对总剂量辐照引起的性能退化进行补偿、对单粒子引起寄生晶体管放大进行抑制，从而提升器件的抗辐照性能。基于CSOI工艺，研制出了高抗辐照4kb SRAM验证芯片。辐照实验证实，该芯片的抗总剂量水平达到6 Mrad(Si)、单粒子翻转阈值大于118 (MeV·cm2)/mg,达到国际先进水平，有望应用于深空探测、核应急等极端领域。