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一种新型高抗辐照可配置SOI器件技术
一种新型高抗辐照可配置SOI器件技术
作者:
叶甜春
李博
刘凡宇
李多力
李彬鸿
陈思远
原文服务方:
原子能科学技术
可配置SOI
抗辐照
总剂量效应
单粒子效应
摘要:
本文介绍了一种新型的高抗辐照可配置SOI(configurable-SOI, CSOI)器件技术。CSOI器件在制备完成后,可以通过改变配置层电压,实现对总剂量辐照引起的性能退化进行补偿、对单粒子引起寄生晶体管放大进行抑制,从而提升器件的抗辐照性能。基于CSOI工艺,研制出了高抗辐照4kb SRAM验证芯片。辐照实验证实,该芯片的抗总剂量水平达到6 Mrad(Si)、单粒子翻转阈值大于118 (MeV·cm2)/mg,达到国际先进水平,有望应用于深空探测、核应急等极端领域。
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文献信息
篇名
一种新型高抗辐照可配置SOI器件技术
来源期刊
原子能科学技术
学科
关键词
可配置SOI
抗辐照
总剂量效应
单粒子效应
年,卷(期)
2023,(12)
所属期刊栏目
器件辐射效应研究及加固技术新进展
研究方向
页码范围
7-19
页数
13页
分类号
字数
语种
中文
DOI
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研究主题发展历程
节点文献
可配置SOI
抗辐照
总剂量效应
单粒子效应
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
原子能科学技术
主办单位:
中国原子能科学研究院
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-6931
CN:
11-2044/TL
开本:
大16开
出版地:
北京275信箱65分箱
邮发代号:
创刊时间:
1959-01-01
语种:
中文
出版文献量(篇)
7198
总下载数(次)
0
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