GaAs PHEMT器件高温加速寿命试验及物理分析

• 作者: 崔晓英 许燕 黄云
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: GaAsPHEMT 栅接触 欧姆接触 高温加速应力试验 寿命预计
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 固体电子电路技术
• 页码范围: 22-26
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2792字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2010.01.006

摘要

GaAs微波器件的退化与金属化稳定性密切相关,实现PHEMT器件功能的金属化主要有栅金属化、欧姆接触金属化和信号传输线金属化.本文针对定制的GaAs PHEMT器件的栅金属接触孔链和欧姆接触金属方块条进行了高温加速应力寿命试验,并对器件金属化失效单机理进行寿命预计,同时对试验后的样品进行物理分析.结果显示栅金属接触孔链在180 ℃下就发生失效,接触孔链表面的金属化层形变,金属化发生了迁移;而AuGeNi欧姆接触在225 ℃高温下更易发生电迁移失效,金属向体内扩散并在金属条上形成空洞.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄云	工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室	10	30	3.0	5.0
2	崔晓英	工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室	3	16	2.0	3.0
3	许燕	工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室	1	4	1.0	1.0