PHEMT电离辐照效应研究

• 作者: 何亮 刘宇安 庄奕琪 杜磊 杨广林 胡瑾
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电离辐照 PHEMT 界面态 低频噪声
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 光微纳器件
• 页码范围: 1800-1802
• 页数: 3页
• 分类号: TN4
• 字数: 2103字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2006.05.130

摘要

对PHEMT的电离辐照效应进行了研究,通过测量辐照前后器件的I-V特性和低频噪声,发现辐照对PHEMT的性能影响并不明显.分析了PHEMT漏电流退化的机理以及其低频噪声的来源,发现异质结界面态是引起漏电流退化和产生较大低频噪声的主要原因,但辐照不会在异质结界面处引入大量的界面态,从而在微观上解释了实验结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄奕琪	西安电子科技大学微电子学院	183	1168	15.0	22.0
2	胡瑾	西安电子科技大学技术物理学院	4	55	3.0	4.0
3	杜磊	西安电子科技大学技术物理学院	99	486	13.0	18.0
4	何亮	西安电子科技大学技术物理学院	36	212	7.0	14.0
5	杨广林	西安电子科技大学技术物理学院	2	3	1.0	1.0
6	刘宇安	西安电子科技大学技术物理学院	4	4	2.0	2.0