典型CMOS存储器电离辐照效应

• 作者: 刘伟鑫 吾勤之 徐导进 王晨 蔡楠
• 来源期刊: 上海航天
• 学科: 航空航天
• 关键词: 电离辐照效应 辐照偏置 退火效应
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 65-68
• 分类号: V520.6
• 字数: 2923字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-1630.2011.01.014

摘要

对电离辐照环境中典型CMOS存储器的辐照效应进行了研究.分析了SRAM,EEPROM,FLASH ROM存储器在60Coγ射线辐照及辐照后不同退火过程中,CMOS存储器的集成度、辐照偏置、退火时间和温度与电离辐照效应的关系.结果发现:不加电(冷备份)状态的60Coγ射线辐照过程中,存储器的逻辑状态翻转出现较正常工作状态推迟1个童级以上;随着集成度的提高,SRAM,EEPROM存储器的辐照敏感度降低;试验器件经不同剂量的60Coγ射线辐照后在不同温度下退火,所有试验器件均出现了逻辑状态翻转.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐导进		4	9	2.0	3.0
2	吾勤之		8	24	3.0	4.0
3	蔡楠		3	13	2.0	3.0
4	刘伟鑫		6	21	3.0	4.0
5	王晨		3	10	2.0	3.0