大规模集成电路中子和γ射线综合电离辐照效应研究

• 作者: 徐天容 杨怀民
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 单片机系统芯片 中子 γ射线 电离辐照效应
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 粒子束及加速器技术
• 页码范围: 756-760
• 页数: 5页
• 分类号: TN47
• 字数: 3609字
• 语种: 中文

摘要

研究了反应堆中子和γ射线综合辐照环境下CMOS工艺大规模集成电路的电离辐照效应.通过对80C196KC20和PSD501B1两种不同芯片在该环境下开展综合辐照试验,发现总的静态电流增长不明显.对试验结果综合分析得出:在反应堆的综合辐照环境下,中子电离效应较弱,并且由于中子位移效应引起载流子迁移率降低和载流子浓度降低,使得总的静态电流下降,从而抵消中子和γ射线综合电离导致的静态电流增长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨怀民	中国工程物理研究院电子工程研究所	5	35	4.0	5.0
2	徐天容	中国工程物理研究院电子工程研究所	1	7	1.0	1.0