GaAs微波单片集成电路的主要失效模式及机理

• 作者: 黄云
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 砷化镓 微波单片集成电路 失效模式 退化机理
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 可靠性物理与失效分析技术
• 页码范围: 9-14
• 页数: 6页
• 分类号: TN454
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2002.03.003

摘要

从可靠性物理的角度,深入分析了引起砷化镓微波单片集成电路(GaAs MMIC)逞化或失效的主要失效模式及其失效机理,明确了GaAs MMIC的可靠性问题主要表现为有源器件、无源器件和环境因素等引入损伤退化,主要的失效部位是MMIC的有源器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄云		21	234	10.0	14.0