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摘要:
基于GaAs 0.25μm增强/耗尽型(E/D)赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,研制了一款Ku波段6位数字衰减器微波单片集成电路(MMIC).该6位数字衰减器由6个基本衰减位级联组成,可实现最大衰减量为31.5 dB、步进为0.5dB的衰减量控制.采用简化的T型衰减结构,实现了0.5 dB和1dB的衰减位.16dB衰减位采用开关型衰减拓扑,在提高衰减平坦度的同时,有效降低其附加相移.测试结果表明,在12~18 GHz的频率内,数字衰减器衰减64态均方根误差(RMS)小于0.25 dB,附加相移为-0.5°~+9.5°,插入损耗小于4.9dB,输入输出驻波比均小于1.5∶1.芯片尺寸为3.00 mm×0.75 mm.该芯片电路具有宽频带、高衰减精度、小尺寸的特点,主要用于微波相控阵收发组件、无线通讯等领域.
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文献信息
篇名 Ku波段微波单片集成电路6位数字衰减器设计
来源期刊 强激光与粒子束 学科 工学
关键词 Ku波段 砷化镓 数字衰减器 高衰减精度 微波单片集成电路
年,卷(期) 2019,(12) 所属期刊栏目 高功率微波
研究方向 页码范围 30-34
页数 5页 分类号 TN432
字数 2009字 语种 中文
DOI 10.11884/HPLPB201931.190049
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 周守利 浙江工业大学信息工程学院 26 40 4.0 5.0
2 程元飞 5 3 1.0 1.0
3 张景乐 浙江工业大学信息工程学院 1 1 1.0 1.0
4 吴建敏 浙江工业大学信息工程学院 1 1 1.0 1.0
5 周赡成 浙江工业大学信息工程学院 2 3 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
Ku波段
砷化镓
数字衰减器
高衰减精度
微波单片集成电路
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
强激光与粒子束
月刊
1001-4322
51-1311/O4
大16开
四川绵阳919-805信箱
62-76
1989
chi
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9833
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7
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61664
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