原文服务方: 电子产品可靠性与环境试验       
摘要:
随着集成电路向多层结构方向的发展,对芯片进行失效分析必须解决多层结构下层的可观察性和可测试性.本文介绍了失效分析中去钝化层、金属化层和层问介质等的各种方法,包括湿法腐蚀、反应离子刻蚀和FIB刻蚀等方法,结合图例进行剥层前后对比分析,并通过实例说明剥层技术在集成电路失效分析中的重要作用.
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文献信息
篇名 芯片剥层技术在集成电路失效分析中的应用
来源期刊 电子产品可靠性与环境试验 学科
关键词 失效分析 钝化层 金属化层 层间介质 剥层技术
年,卷(期) 2009,(z1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 10-14
页数 5页 分类号 TN3
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-5468.2009.z1.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈媛 工业与信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室 2 6 1.0 2.0
2 李少平 工业与信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室 1 6 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
失效分析
钝化层
金属化层
层间介质
剥层技术
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子产品可靠性与环境试验
双月刊
1672-5468
44-1412/TN
大16开
广州市增城区朱村街朱村大道西78号
1962-01-01
中文
出版文献量(篇)
2841
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