原文服务方: 电子产品可靠性与环境试验       
摘要:
介绍了GaAs器件及MMIC的可靠性研究现状,给出了GaAs器件的几种失效模式和失效机理.
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文献信息
篇名 GaAs MMIC可靠性研究与进展
来源期刊 电子产品可靠性与环境试验 学科
关键词 砷化镓器件 单片微波集成电路 可靠性 失效
年,卷(期) 2001,(1) 所属期刊栏目 国外可靠性与环境技术
研究方向 页码范围 29-33
页数 5页 分类号 TN454.06
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-5468.2001.01.007
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 庄志强 华南理工大学材料工程系 61 663 13.0 23.0
2 莫郁薇 7 30 4.0 4.0
3 张增照 11 56 5.0 6.0
4 聂国健 5 20 3.0 4.0
5 吴海东 华南理工大学材料工程系 1 8 1.0 1.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
砷化镓器件
单片微波集成电路
可靠性
失效
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子产品可靠性与环境试验
双月刊
1672-5468
44-1412/TN
大16开
广州市增城区朱村街朱村大道西78号
1962-01-01
中文
出版文献量(篇)
2803
总下载数(次)
0
总被引数(次)
9369
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