GaAs MMIC的热生成机制的建模与仿真方法

• 作者: 何小琦 周斌 恩云飞 来萍 赵磊
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 热生成区 峰值结温 有限元仿真 单片微波集成电路 异质结双极性晶体管
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 仿真分析与测试
• 页码范围: 36-40
• 页数: 5页
• 分类号: TN43|TP391.99
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2013.06.009

摘要

以GaAs基异质结双极性晶体管(HBT)单片微波集成电路(MMIC)为例,研究了器件内部的热生成机制,包括:确定器件内部的热生成机制及热生成区的位置,讨论器件内部热传导和热耗散的形式,建立器件的详细3D实体模型.利用有限元软件ANSYS WorkBench,对已确定的热生成区进行热功耗加载,以便更加精确地模拟器件的峰值结温.