GaAs MMIC开关MESFET电路建模技术研究

• 作者: 戴永胜 方大纲
• 来源期刊: 南京理工大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓微波单片集成电路 开关场效应晶体管模型 电路模型参数 微波控制电路 多倍频程
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 页码范围: 612-617
• 页数: 6页
• 分类号: TN12
• 字数: 4208字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9830.2006.05.018

摘要

基于Agilent公司的IC-CAP软件及GaAs圆片工艺加工线,研究了砷化镓微波毫米波单片集成电路(GaAs M-MMIC)开关MESFET电路建模技术及其应用.讨论了MMIC设计中电路建模技术的重要性,提出了高精度GaAs MMIC开关MESFET简化电路模型及不同栅宽模型参数的比例缩放方案,扩展了电路模型的应用频率范围,解决了电路模型参数提取中的关键问题,如:开关MESFET模型的版图设计、微波探针校准图形的设计、电路模型参数的提取、统计和确认.采用该技术提取的电路模型参数,成功研制出GaAs MMIC控制电路系列产品,验证了该方法的有效性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方大纲	南京理工大学电子工程与光电技术学院	40	374	12.0	18.0
2	戴永胜	南京理工大学电子工程与光电技术学院	57	155	6.0	10.0