GaAs MESFET/PHEMT大信号建模

• 作者: 张书敬 杨克武 杨瑞霞 王生国
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓场效应晶体管 微波集成电路 功率器件模型 精确建模
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 77-81
• 页数: 5页
• 分类号: TN4
• 字数: 4469字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.01.020

摘要

大信号精确模型的建立是微波单片集成电路设计和研制的基础,在分析传统建模方法的基础上,对传统的Cold FET测量技术和寄生元件参数提取提出了改进方法,大栅宽器件引入了脉冲I-V曲线的测试方法,改进了EEFET/EEHEMT模型的I-V模型和Q-V模型.利用在片测试技术与建模软件相结合,建立了新的二维电荷模型,给出了建模实例和验证结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学信息工程学院	180	759	13.0	18.0
2	杨克武	中国电子科技集团公司第十三研究所	26	186	6.0	13.0
3	张书敬	河北工业大学信息工程学院	6	39	4.0	6.0
7	王生国	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	13	3.0	3.0